可见光-短波红外成像传感器
在可见光、近红外和短波红外光谱波段内敏感的成像电子传感器已在工业、国防、安防、科学、环境保护、医学等领域得到广泛应用。仅对可见光-近红外(VIS-NIR)波段敏感的成像传感器几乎全部为硅芯片,采用一系列技术制造,包括CCD、CMOS、ICCD、EMCCD、EBAPS以及sCMOS,既有彩色版本也有单色版本。彩色可见光/近红外(VIS/NIR)传感器仅对可见光范围内的光敏感,而单色可见光/近红外(VIS/NIR)传感器的敏感波长范围可达约 1000 纳米。短波红外(SWIR)传感器大多为 InGaAs 成像传感器,提供多种版本:标准非制冷型,敏感波长范围约为 900 纳米至 1700 纳米;标准制冷型传感器——约1000nm至2200nm;以及扩展型非制冷传感器——约600nm至1700nm。
Inframet提供了一套用于测试VIS-SWIR成像传感器的三站测试系统:
- VIT测试站是一款图像投影仪,可在可见光-短波红外(VIS-SWIR)范围内,投射出光强可连续调节的、分布于十余个窄光谱带的图像。VIT能够测量可见光-近红外(VIS-NIR)范围内十余个光谱带的成像、辐射测量和光度测量参数。
- SIT测试站是一种经过校准的光源,具有连续可调的光强和连续可调的波长。SIT可在可见光-短波红外(VIS-SWIR)范围内,针对连续可调的波长测量辐射测量参数。
- SOL测试站是一种经过校准的光源,其光强可连续调节,光谱带可分步调节。SOL可测量VIS-SWIR范围内分步调节波长下的辐射测量参数以及光度测量参数。
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